Infineon F3L11MR12W2M1B65
Артикул: C3190249
Part Number: F3L11MR12W2M1B65
Производитель: Infineon
от 144.743100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 394.752400 ₽ |
| 200 шт. | 152.765100 ₽ |
| 500 шт. | 147.395500 ₽ |
| 1000 шт. | 144.743100 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.75V |
| Заряд затвора (Qg) | 800nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 2.1V@15V,100A |
| Входная ёмкость (Cies) | 7.36nF@800V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 270pF |
| Время задержки включения Td(on) | 13ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 196ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.94mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 5.47mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
200mW 100A 1.2kV одиночные IGBT-транзисторы RoHS