Infineon FS75R12W2T7BPSA1
Артикул: C3190235
Part Number: FS75R12W2T7BPSA1
Производитель: Infineon
от 36.784700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 100.321500 ₽ |
| 200 шт. | 38.823100 ₽ |
| 500 шт. | 37.459400 ₽ |
| 1000 шт. | 36.784700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 20mW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 65A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.55V;1.69V;1.77V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Входная ёмкость (Cies) | 15.1nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 53pF |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 130ns;150ns;158ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 270ns;350ns;390ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 4.92mJ;7.49mJ;8.99mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 5.47mJ;8.27mJ;9.67mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
20mW 65A 1.2kV FS (ограничение поля) модули IGBT RoHS