Infineon F423MR12W1M1B11
Артикул: C3190234
Part Number: F423MR12W1M1B11
Производитель: Infineon
от 144.677900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 394.576400 ₽ |
| 200 шт. | 152.695600 ₽ |
| 500 шт. | 147.330400 ₽ |
| 1000 шт. | 144.677900 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.68nF@800V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | - |
| Время задержки включения Td(on) | - |
| Время задержки выключения Td(off) | - |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | - |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
200mW 50A 1.2kV одиночные IGBT-транзисторы RoHS