Infineon FD800R17KE3B2
Артикул: C3171490
Part Number: FD800R17KE3B2
Производитель: Infineon
от 1091.146300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1230.018200 ₽ |
| 200 шт. | 1151.615700 ₽ |
| 500 шт. | 1111.143700 ₽ |
| 1000 шт. | 1091.146300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 5.2kW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.7kV |
| Ток коллектора (Ic) | 1.2kA |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+125℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2V;2.45V |
| Заряд затвора (Qg) | 9.3uC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 2.45V@15V,800A |
| Входная ёмкость (Cies) | 72nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 2.3nF |
| Время задержки включения Td(on) | 650ns;700ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 1.3us;1.6us |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 165mJ;240mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 200mJ;295mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
5.2kW 1.2kA 1.7kV IGBT модуль одиночные IGBT-транзисторы RoHS