Infineon BSM100GB120DN2
Артикул: C3171427
Part Number: BSM100GB120DN2
Производитель: Infineon
от 198.578700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 223.851800 ₽ |
| 200 шт. | 209.582700 ₽ |
| 500 шт. | 202.217300 ₽ |
| 1000 шт. | 198.578700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 800W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 150A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.5V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.5V |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Входная ёмкость (Cies) | 6.5nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 1nF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 500pF |
| Рабочая температура | - |
| Время задержки включения Td(on) | 130ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 400ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | - |
| Время обратного восстановления (trr) | 300ns |
Описание
800W 150A 1.2kV модули IGBT