Infineon FS100R12N2T4P
Артикул: C3171362
Part Number: FS100R12N2T4P
Производитель: Infineon
от 84.657400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 230.884200 ₽ |
| 200 шт. | 89.348900 ₽ |
| 500 шт. | 86.209100 ₽ |
| 1000 шт. | 84.657400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.75V;2.1V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.05V;6.45V |
| Заряд затвора (Qg) | 800nC |
| Входная ёмкость (Cies) | 6.3nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 270pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 130ns;150ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 300ns;400ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 7.2mJ;10.5mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 5.4mJ;9mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
100A 1.2kV FS (ограничение поля) модули IGBT RoHS