Infineon DF1000R17IE4DB2
Артикул: C3171360
Part Number: DF1000R17IE4DB2
Производитель: Infineon
от 531.136700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 598.735400 ₽ |
| 200 шт. | 560.571800 ₽ |
| 500 шт. | 540.870200 ₽ |
| 1000 шт. | 531.136700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 6.25kW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.7kV |
| Ток коллектора (Ic) | 1kA |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.45V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 10uC |
| Входная ёмкость (Cies) | 81nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 2.6nF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 660ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 1.15us |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 260mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 210mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
6.25kW 1kA 1.7kV IGBT модуль модули IGBT RoHS