Infineon FF150R12KS4B2HOSA1
Артикул: C3171347
Part Number: FF150R12KS4B2HOSA1
Производитель: Infineon
от 0.969000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.643200 ₽ |
| 200 шт. | 1.023000 ₽ |
| 500 шт. | 0.987600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.969000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.25kW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 225A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Заряд затвора (Qg) | 1.6uC |
| Рабочая температура | -40℃~+125℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 3.2V;3.7V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.7V@15V,150A |
| Входная ёмкость (Cies) | 11nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 500pF |
| Время задержки включения Td(on) | 100ns;110ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 530ns;550ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 14.5mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 11mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
1.25kW 225A 1.2kV IGBT модуль одиночные IGBT-транзисторы