Infineon F4100R17N3E4
Артикул: C3171323
Part Number: F4100R17N3E4
Производитель: Infineon
от 77.810500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 212.211400 ₽ |
| 200 шт. | 82.122800 ₽ |
| 500 шт. | 79.237400 ₽ |
| 1000 шт. | 77.810500 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.7kV |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.95V;2.45V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.35V;6.25V |
| Заряд затвора (Qg) | 1.2uC |
| Входная ёмкость (Cies) | 9nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 290pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 201ns;230ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 416ns;600ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 19.4mJ;29.1mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 17.7mJ;34.1mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
100A 1.7kV IGBT модуль модули IGBT RoHS