Infineon DF1000R17IE4P
Артикул: C3171236
Part Number: DF1000R17IE4P
Производитель: Infineon
от 509.218200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 574.027300 ₽ |
| 200 шт. | 537.438400 ₽ |
| 500 шт. | 518.550300 ₽ |
| 1000 шт. | 509.218200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.7kV |
| Ток коллектора (Ic) | 1kA |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.45V;2.8V;2.95V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 10uC@15V |
| Входная ёмкость (Cies) | 81nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 2.6nF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 550ns;600ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 1us;1.25us;1.3us |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 265mJ;390mJ;415mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 200mJ;295mJ;330mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
1kA 1.7kV FS (ограничение поля) модули IGBT RoHS