Infineon IGW50N65HS
Артикул: C3171176
Part Number: IGW50N65HS
Производитель: Infineon
от 2.277500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 6.209000 ₽ |
| 200 шт. | 2.404000 ₽ |
| 500 шт. | 2.319100 ₽ |
| 1000 шт. | 2.277500 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 305W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.65V |
| Заряд затвора (Qg) | 120nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4V |
| Входная ёмкость (Cies) | 3nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 50pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 11pF |
| Время задержки включения Td(on) | 21ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 180ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 520uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 180uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
305W 80A 650V одиночные IGBT-транзисторы