Infineon FD800R17KF6CB2NOSA1

Infineon FD800R17KF6CB2NOSA1

Артикул: C3171139 Part Number: FD800R17KF6CB2NOSA1 Производитель: Infineon
от 0.969000 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 2.643200 ₽
200 шт. 1.023000 ₽
500 шт. 0.987600 ₽
1000 шт. 0.969000 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT IGBT Module
Рассеиваемая мощность (Pd) 6.25kW
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 1.7kV
Ток коллектора (Ic) 800A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+125℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.6V;3.6V
Заряд затвора (Qg) 9.6uC
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 4.5V;6.5V
Входная ёмкость (Cies) 52nF
Выходная ёмкость (Coes) -
Проходная ёмкость (Cres) 2.7nF
Время задержки включения Td(on) 400ns
Время задержки выключения Td(off) 1.1us
Энергия потерь при включении (Eon) 290mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 335mJ
Время обратного восстановления (trr) -

Описание

6.25kW 800A 1.7kV IGBT модуль одиночные IGBT-транзисторы