onsemi NGTG20N60L2TF1G
Артикул: C3171136
Part Number: NGTG20N60L2TF1G
Производитель: onsemi
от 1.820800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.965300 ₽ |
| 200 шт. | 1.922600 ₽ |
| 500 шт. | 1.854700 ₽ |
| 1000 шт. | 1.820800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 64W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 20A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.45V |
| Заряд затвора (Qg) | 84nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.5V;6.5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 2nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 60pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 50pF |
| Время задержки включения Td(on) | 60ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 193ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | - |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
64W 20A 600V одиночные IGBT-транзисторы RoHS