Infineon FZ1600R12KE3NOSA1

Infineon FZ1600R12KE3NOSA1

Артикул: C3171106 Part Number: FZ1600R12KE3NOSA1 Производитель: Infineon
от 0.969000 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 2.643200 ₽
200 шт. 1.023000 ₽
500 шт. 0.987600 ₽
1000 шт. 0.969000 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT IGBT Module
Рассеиваемая мощность (Pd) 7.8kW
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 1.2kV
Ток коллектора (Ic) 1.6kA
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+125℃@(Tj)
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) -
Заряд затвора (Qg) -
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) -
Входная ёмкость (Cies) 115nF@25V
Выходная ёмкость (Coes) -
Проходная ёмкость (Cres) 5.4nF
Время задержки включения Td(on) -
Время задержки выключения Td(off) -
Энергия потерь при включении (Eon) -
Энергия потерь при выключении (Eoff) -
Время обратного восстановления (trr) -

Описание

7.8kW 1.6kA 1.2kV IGBT модуль одиночные IGBT-транзисторы