Infineon F3L200R07W2S5FB11
Артикул: C3171083
Part Number: F3L200R07W2S5FB11
Производитель: Infineon
от 74.746200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 203.852100 ₽ |
| 200 шт. | 78.888700 ₽ |
| 500 шт. | 76.116200 ₽ |
| 1000 шт. | 74.746200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 20mW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 95A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.17V;1.2V;1.21V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 1.38V@15V,100A |
| Заряд затвора (Qg) | 840nC |
| Входная ёмкость (Cies) | 14.3nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 50pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 97ns;87ns;82ns;98ns;85ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 654ns;687ns;704ns;651ns;685ns;695ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 3.2mJ;3.51mJ;2.18mJ;2.56mJ;2.79mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.21mJ;1.48mJ;1.61mJ;1.28mJ;1.65mJ;1.8mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
20mW 95A 650V FS (ограничение поля) модули IGBT RoHS