TRENCHSTOP 5 WR5 technology in усовершенствованный путь утечки и зазор корпус
Артикул: C3171061
Part Number: IKWH30N65WR5XKSA1
Производитель: Infineon
от 4.846000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.846000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 190W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 75A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.7V@30A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 133nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.2V@0.3mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.23nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 32pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 13pF |
| Время задержки включения Td(on) | 41ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 398ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 870uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 400uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
190W 75A 650V TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS