Infineon DD1200S33K2C
Артикул: C3171028
Part Number: DD1200S33K2C
Производитель: Infineon
от 0.969000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.643200 ₽ |
| 200 шт. | 1.023000 ₽ |
| 500 шт. | 0.987600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.969000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | - |
| Ток коллектора (Ic) | - |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+125℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Входная ёмкость (Cies) | - |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | - |
| Время задержки включения Td(on) | - |
| Время задержки выключения Td(off) | - |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | - |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
Одиночные IGBT-транзисторы