Infineon SGB15N60HSATMA1
Артикул: C3171025
Part Number: SGB15N60HSATMA1
Производитель: Infineon
от 1.095600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.985700 ₽ |
| 200 шт. | 1.155700 ₽ |
| 500 шт. | 1.115600 ₽ |
| 1000 шт. | 1.095600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | NPT (Non-Punch Through) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 139W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 15A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.3V |
| Заряд затвора (Qg) | 76nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4V |
| Входная ёмкость (Cies) | 800pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 84pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 52pF |
| Время задержки включения Td(on) | 32ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 234ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 300uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 270uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
139W 15A 600V NPT (не-пробойник Through) одиночные IGBT-транзисторы