Дискретный IGBT (высокоскоростной W серия) 650V / 75A

Дискретный IGBT (высокоскоростной W серия) 650V / 75A

Артикул: C31630721 Part Number: FGW75N65WE Производитель: Fuji Electric
от 2.436800 ₽ В наличии: 342 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 2.835300 ₽
10 шт. 2.682800 ₽
30 шт. 2.590900 ₽
90 шт. 2.497500 ₽
510 шт. 2.454800 ₽
990 шт. 2.436800 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 520W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 650V
Ток коллектора (Ic) 124A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+175℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.2V@75A,15V
Заряд затвора (Qg) 300nC@520V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 3V@75mA
Входная ёмкость (Cies) 5.3nF
Выходная ёмкость (Coes) 150pF
Проходная ёмкость (Cres) 120pF
Время задержки включения Td(on) 34ns
Время задержки выключения Td(off) 300ns;340ns
Энергия потерь при включении (Eon) 950uJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 1.2mJ
Время обратного восстановления (trr) 180ns

Описание

520W 124A 650V TO-247 одиночные IGBT-транзисторы RoHS