100V обогащение режим GaN транзистор
Артикул: C31270677
Part Number: GS61004B-TR
Производитель: Infineon
от 3.687400 ₽
В наличии: 157 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.742400 ₽ |
| 10 шт. | 4.950900 ₽ |
| 30 шт. | 4.480500 ₽ |
| 100 шт. | 4.005300 ₽ |
| 500 шт. | 3.787300 ₽ |
| 1000 шт. | 3.687400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 38A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 16mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 3.3nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 260pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 110pF |
Описание
100V 38A 1.7V 16mΩ 1 N-канальный N-канальный SMD-3P,4.6x4.4mm одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS