Infineon IMLT65R026M2HXTMA1
Артикул: C30978712
Part Number: IMLT65R026M2HXTMA1
Производитель: Infineon
от 9.016800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 11.470100 ₽ |
| 10 шт. | 10.891600 ₽ |
| 30 шт. | 9.890300 ₽ |
| 100 шт. | 9.016800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Half-Bridge |
| Непрерывный ток стока (Id) | 8.257kA |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 365W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 33mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 42nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.499nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 8.6pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 145pF |
Описание
650V 8.257kA 5.6V 365W 33mΩ 1 N-канальный N-канальный HDSOP-16 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS