Транзистор предварительное смещение 50V SOT-457
Артикул: C308702
Part Number: IMD10AT108
Производитель: ROHM
от 0.066700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.146600 ₽ |
| 50 шт. | 0.116500 ₽ |
| 150 шт. | 0.101400 ₽ |
| 500 шт. | 0.090100 ₽ |
| 3000 шт. | 0.071200 ₽ |
| 6000 шт. | 0.066700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 500mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.5V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 300mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | 13kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 120 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 200MHz |
| Ток отсечки коллектора | 0.5uA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 500mA 300mW поверхностный монтаж SOT-457