Транзистор предварительное смещение 50V TO-236-3(SOT-23-3)

Транзистор предварительное смещение 50V TO-236-3(SOT-23-3)

Артикул: C308681 Part Number: DTB114EKT146 Производитель: ROHM
от 0.039900 ₽ В наличии: 3480 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.092400 ₽
50 шт. 0.069800 ₽
150 шт. 0.058600 ₽
500 шт. 0.050100 ₽
3000 шт. 0.043300 ₽
6000 шт. 0.039900 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип PNP
Количество 1 PNP Pre-Biased
Ток коллектора (Ic) 500mA
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 50V
Рассеиваемая мощность (Pd) 200mW
Коэффициент усиления по постоянному току 56
Рабочая температура -55℃~+150℃
Напряжение эмиттер–база VEBO -
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 3V
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 500mV@100uA,5V
Выходное напряжение (VO(on)) 300mV
Входной резистор 10kΩ
Соотношение сопротивлений резисторов 1
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 300mV
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 200MHz
Ток отсечки коллектора -

Описание

Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 500mA 200mW поверхностный монтаж TO-236-3(SOT-23-3)