P-канальный обогащение режим MOSFET, ток: -50A, напряжение: -20V
Артикул: C3033460
Part Number: HXY50P02DF
Производитель: HXY MOSFET
от 0.118000 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.238600 ₽ |
| 50 шт. | 0.189000 ₽ |
| 150 шт. | 0.167800 ₽ |
| 500 шт. | 0.141300 ₽ |
| 2500 шт. | 0.125100 ₽ |
| 5000 шт. | 0.118000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 48A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 29W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 600mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 7.5mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 63nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 5.783nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 431pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 509pF |
Описание
20V 48A 600mV 29W 7.5mΩ@4.5V 1 P-канальный P-канальный DFN-8L(3x3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)