P-канальный обогащение режим MOSFET, ток:-32A, напряжение пробоя:-30V
Артикул: C3033459
Part Number: HXY3419DF
Производитель: HXY MOSFET
от 0.102500 ₽
В наличии: 389 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.201800 ₽ |
| 10 шт. | 0.160500 ₽ |
| 30 шт. | 0.142800 ₽ |
| 100 шт. | 0.120700 ₽ |
| 500 шт. | 0.110900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.102500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 32A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.57W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.95V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 10mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 12.5nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.345nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 158pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 194pF |
Описание
30V 32A 1.95V 3.57W 10mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный DFN-8L(3x3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)