60V, 85A, N-канальный обогащение режим мощность MOSFET
Артикул: C3030948
Part Number: WMB85N06T2
Производитель: Wayon
от 0.399900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.767100 ₽ |
| 10 шт. | 0.624500 ₽ |
| 30 шт. | 0.554000 ₽ |
| 100 шт. | 0.483500 ₽ |
| 500 шт. | 0.422900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.399900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 85A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 81W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 3.6mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 60nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.55nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 78pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.226nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
81W 60V 85A 2.3V 3.6mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный PDFN-8(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)