Высоковольтный BIMOSFET
Артикул: C3028861
Part Number: IXBH5N160G
Производитель: Littelfuse/IXYS
от 4.800400 ₽
В наличии: 2 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 6.674000 ₽ |
| 10 шт. | 5.789900 ₽ |
| 30 шт. | 5.252100 ₽ |
| 90 шт. | 4.800400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 68W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.6kV |
| Ток коллектора (Ic) | 5.7A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | 50uA |
| Заряд затвора (Qg) | 26nC@10V |
| Рабочая температура | -50℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 7.2V@3A,15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.5V@0.3mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 325pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | - |
| Время задержки включения Td(on) | 140ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 200ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | - |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
68W 5.7A 1.6kV TO-247 одиночные IGBT-транзисторы RoHS