Кремний карбид (SiC) MOSFET - EliteSiC
Артикул: C30164885
Part Number: NTH4L013N120M3S
Производитель: onsemi
от 36.433700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 37.651600 ₽ |
| 10 шт. | 36.433700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 151A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 682W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4.4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 13mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 254nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 5.813nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 21pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 262pF |
Описание
1.2kV 151A 4.4V 682W 13mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-4L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS