Транзистор предварительное смещение PNP 50V TO-236-3(SOT-23-3)
Артикул: C3014163
Part Number: DTA115EKAT146
Производитель: ROHM
от 0.026500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.054400 ₽ |
| 100 шт. | 0.042400 ₽ |
| 300 шт. | 0.036400 ₽ |
| 3000 шт. | 0.031900 ₽ |
| 6000 шт. | 0.028300 ₽ |
| 9000 шт. | 0.026500 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 PNP Pre-Biased |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 82 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V@1mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@5mA,0.25mA |
| Входной резистор | 130kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1.2 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 1 PNP со встроенными резисторами смещения 50V 100mA 200mW поверхностный монтаж TO-236-3(SOT-23-3)