VISHAY SIHB125N60EF-GE3
Артикул: C3009870
Part Number: SIHB125N60EF-GE3
Производитель: VISHAY
от 1.382700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.770400 ₽ |
| 200 шт. | 1.460500 ₽ |
| 500 шт. | 1.408700 ₽ |
| 1000 шт. | 1.382700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 600V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 25A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 179W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 109mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 31nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.533nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 6pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 68pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
600V 25A 5V 179W 109mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный D2PAK одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS