VISHAY SIHB24N65EFT1-GE3
Артикул: C3009468
Part Number: SIHB24N65EFT1-GE3
Производитель: VISHAY
от 3.047300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 8.309400 ₽ |
| 200 шт. | 3.215400 ₽ |
| 500 шт. | 3.102800 ₽ |
| 800 шт. | 3.047300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 24A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 156mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 122nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.774nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 4pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 128pF |
Описание
650V 24A 4V 250W 156mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-263(D2PAK) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS