Транзистор предварительное смещение NPN 50V SOT-523

Транзистор предварительное смещение NPN 50V SOT-523

Артикул: C3003062 Part Number: DDTC123EE-7-F Производитель: DIODES
от 0.040200 ₽ В наличии: 100 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
10 шт. 0.062400 ₽
100 шт. 0.052900 ₽
300 шт. 0.048100 ₽
3000 шт. 0.044500 ₽
6000 шт. 0.041700 ₽
9000 шт. 0.040200 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Количество 1 NPN (Pre-Biased)
Ток коллектора (Ic) 100mA
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 50V
Рассеиваемая мощность (Pd) 150mW
Коэффициент усиления по постоянному току 56
Рабочая температура -55℃~+150℃
Напряжение эмиттер–база VEBO -
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 3V@20mA,300mV
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 500mV
Выходное напряжение (VO(on)) 300mV@10mA,500uA
Входной резистор -
Соотношение сопротивлений резисторов 1
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 250MHz
Ток отсечки коллектора -

Описание

Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 1 NPN со встроенными резисторами смещения транзистор 50V 100mA 150mW поверхностный монтаж SOT-523