Обогащение режим MOSFET, ток: -8.5A, напряжение: -12V

Обогащение режим MOSFET, ток: -8.5A, напряжение: -12V

Артикул: C3001678 Part Number: DMP1012USS-13 Производитель: DIODES
от 0.426400 ₽ В наличии: 95 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.454300 ₽
10 шт. 0.442800 ₽
30 шт. 0.434600 ₽
100 шт. 0.426400 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 P-Channel
Тип P-Channel
Напряжение сток–исток 12V
Непрерывный ток стока (Id) 8.5A
Рабочая температура -55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 1.6W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 1V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 40mΩ@1.8V
Заряд затвора (Qg) 31nC@8V
Входная ёмкость (Ciss) 342pF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 297pF

Описание

12V 8.5A 1V 1.6W 40mΩ@1.8V 1 P-канальный P-канальный SO-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS