Транзистор предварительное смещение NPN 50V DFN-3L(1x0.6)
Артикул: C3000402
Part Number: DTC114EDC
Производитель: PJSEMI
от 0.012700 ₽
В наличии: 560 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 20 шт. | 0.028700 ₽ |
| 200 шт. | 0.022200 ₽ |
| 600 шт. | 0.018500 ₽ |
| 2000 шт. | 0.016400 ₽ |
| 10000 шт. | 0.013700 ₽ |
| 20000 шт. | 0.012700 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 50 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2.4V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@10mA,0.5mA |
| Входной резистор | - |
| Соотношение сопротивлений резисторов | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 200MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 1 NPN со встроенными резисторами смещения транзистор 50V 100mA 200mW поверхностный монтаж DFN-3L(1x0.6)