Infineon IMW65R107M1HXKSA1
Артикул: C2997994
Part Number: IMW65R107M1HXKSA1
Производитель: Infineon
от 5.476900 ₽
В наличии: 30 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 7.759800 ₽ |
| 10 шт. | 6.683100 ₽ |
| 30 шт. | 6.027600 ₽ |
| 90 шт. | 5.476900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 20A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 75W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 142mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 15nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 496pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 7pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 75pF |
Описание
650V 20A 3.5V 75W 142mΩ@18V 1 N-канальный N-канальный TO-247-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS