1200V SiC траншейный MOSFET
Артикул: C2997930
Part Number: IMW120R220M1HXKSA1
Производитель: Infineon
от 4.464200 ₽
В наличии: 56 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 6.337300 ₽ |
| 10 шт. | 5.454000 ₽ |
| 30 шт. | 4.914800 ₽ |
| 100 шт. | 4.464200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 13A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 75W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 220mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 8.5nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 289pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 2pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 16pF |
Описание
N-канальный 1.2kV 13A 75W монтаж в отверстия TO-247-3