Транзистор предварительное смещение 50V SOT-363

Транзистор предварительное смещение 50V SOT-363

Артикул: C2987915 Part Number: UMH2NFHATN Производитель: ROHM
от 0.029600 ₽ В наличии: 50 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
10 шт. 0.060400 ₽
100 шт. 0.047100 ₽
300 шт. 0.040500 ₽
3000 шт. 0.035600 ₽
6000 шт. 0.031600 ₽
9000 шт. 0.029600 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 2 NPN (Pre-Biased)
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 50V
Ток коллектора (Ic) 100mA
Рассеиваемая мощность (Pd) 150mW
Тип NPN
Коэффициент усиления по постоянному току 68
Напряжение эмиттер–база VEBO -
Рабочая температура -40℃~+150℃
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 3V
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 500mV
Выходное напряжение (VO(on)) 300mV
Входной резистор 47kΩ
Соотношение сопротивлений резисторов 1
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 250MHz
Ток отсечки коллектора -

Описание

Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 150mW поверхностный монтаж SOT-363