P-канальный обогащение режим MOSFET, ток: -6A, напряжение: -100V
Артикул: C2986721
Part Number: HYG161P10LA1S
Производитель: HUAYI
от 0.155700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.161400 ₽ |
| 50 шт. | 0.159000 ₽ |
| 150 шт. | 0.157400 ₽ |
| 500 шт. | 0.155700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 6A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 5.4W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 200mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 24nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.376nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 36pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 59pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
5.4W 100V 6A 3V 200mΩ@4.5V 1 P-канальный P-канальный SOP-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)