650V 40A ограничение поля траншейный IGBT
Артикул: C2981748
Part Number: RGT80TS65DGC13
Производитель: ROHM
от 3.043700 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.757300 ₽ |
| 10 шт. | 3.949200 ₽ |
| 30 шт. | 3.457600 ₽ |
| 90 шт. | 3.043700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 234W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 40A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V@40A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 79nC@300V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V@27.6mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.21nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 87pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 36pF |
| Время задержки включения Td(on) | 34ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 119ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | - |
| Время обратного восстановления (trr) | 58ns |
Описание
234W 40A 650V TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS