Infineon IRGP50B60PDPBF
Артикул: C2980622
Part Number: IRGP50B60PDPBF
Производитель: Infineon
от 5.161000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 14.075300 ₽ |
| 200 шт. | 5.447200 ₽ |
| 500 шт. | 5.256400 ₽ |
| 1000 шт. | 5.161000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | NPT (Non-Punch Through) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 370W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 75A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2V |
| Заряд затвора (Qg) | 240nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4V |
| Входная ёмкость (Cies) | 4.75nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 390pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 58pF |
| Время задержки включения Td(on) | 34ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 130ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 360uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 380uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 50ns |
Описание
370W 75A 600V NPT (не-пробойник Through) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS