Транзистор предварительное смещение 50V SOT-363
Артикул: C2978921
Part Number: DDA143TU-7-F
Производитель: DIODES
от 0.036900 ₽
В наличии: 860 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.060700 ₽ |
| 100 шт. | 0.050500 ₽ |
| 300 шт. | 0.045400 ₽ |
| 3000 шт. | 0.041500 ₽ |
| 6000 шт. | 0.038500 ₽ |
| 9000 шт. | 0.036900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 PNP Pre-Biased Transistors |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 160 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 3V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 4.7kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV@2.5mA,0.25mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | 0.5uA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 200mW поверхностный монтаж SOT-363