Ограничение поля траншейный биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Ограничение поля траншейный биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Артикул: C2976610 Part Number: KGF40N65KDC-U/P Производитель: KEC
от 0.767000 ₽ В наличии: 2042 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 1.348800 ₽
10 шт. 1.137400 ₽
30 шт. 0.985000 ₽
90 шт. 0.852200 ₽
510 шт. 0.794900 ₽
990 шт. 0.767000 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT FS (Field Stop)
Рассеиваемая мощность (Pd) 208W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 650V
Ток коллектора (Ic) 80A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.3V@40A,15V
Заряд затвора (Qg) 90nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 5V@4mA
Входная ёмкость (Cies) 2.3nF
Выходная ёмкость (Coes) 110pF
Проходная ёмкость (Cres) 30pF
Время задержки включения Td(on) 60ns
Время задержки выключения Td(off) 115ns
Энергия потерь при включении (Eon) 1.24mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 720uJ
Время обратного восстановления (trr) 97ns

Описание

208W 80A 650V FS (ограничение поля) TO-247 одиночные IGBT-транзисторы RoHS