P-канальный логические микросхемы уровень обогащение режим MOSFET, ток: -22A, напряжение: -30V
Артикул: C2974781
Part Number: PE551BA
Производитель: NIKO-SEM
от 0.094200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.256800 ₽ |
| 200 шт. | 0.099400 ₽ |
| 500 шт. | 0.095900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.094200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 22A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 17W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 30mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 21nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.009nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 121pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 154pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±25V |
Описание
17W 30V 22A 2.3V 30mΩ@4.5V 1 P-канальный P-канальный DFN-8(3.3x3.3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)