Кремний карбид (SiC) мощность MOSFET устройства

Кремний карбид (SiC) мощность MOSFET устройства

Артикул: C29747268 Part Number: SCT040W120G3AG Производитель: ST
от 17.152800 ₽ В наличии: 26 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 17.747700 ₽
10 шт. 17.152800 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 1.2kV
Непрерывный ток стока (Id) 40A
Рабочая температура -55℃~+200℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 312W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 4.2V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 40mΩ
Заряд затвора (Qg) 56nC
Входная ёмкость (Ciss) 1.329nF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 10pF
Выходная ёмкость (Coss) 78pF

Описание

1.2kV 40A 312W монтаж в отверстия HIP-247