100V N-канальный MOSFET, ток:68A, напряжение:100V
Артикул: C2972872
Part Number: ASDM100R066NQ-R
Производитель: ASDsemi
от 0.297800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.810100 ₽ |
| 200 шт. | 0.314800 ₽ |
| 500 шт. | 0.304000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.297800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 68A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 108W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 8mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 45nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.32nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 20pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 605pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
108W 100V 68A 2.3V 8mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный PDFN-8(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)