100V N-канальный MOSFET, напряжение пробоя:100V
Артикул: C2972856
Part Number: ASDM100R045NQ-R
Производитель: ASDsemi
от 0.321900 ₽
В наличии: 899 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.504200 ₽ |
| 10 шт. | 0.451700 ₽ |
| 30 шт. | 0.427000 ₽ |
| 100 шт. | 0.400700 ₽ |
| 500 шт. | 0.330100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.321900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 118A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 73W |
| Рабочая температура | - |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 4.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 78nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.117nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 44pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 654pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
73W 100V 118A 1.8V 4.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный PDFN-8(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)