N-канальный обогащение-режим латеральный MOSFET, ток:2.5A, напряжение:40V
Артикул: C2971478
Part Number: PD55003L-E
Производитель: ST
от 14.777600 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 17.139800 ₽ |
| 10 шт. | 16.582600 ₽ |
| 30 шт. | 15.617600 ₽ |
| 100 шт. | 14.777600 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 2.5A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 14W |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 360mΩ@10V |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5V |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Рабочая температура | -65℃~+150℃ |
| Входная ёмкость (Ciss) | 34pF |
| Конфигурация | Common source |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 1.8pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 23pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±15V |
Описание
14W 40V 2.5A 360mΩ@10V 5V 1 N-канальный VDFN-8-Power радиочастотные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS