Траншейный затвор field-останов IGBT, M серия 650 V, 50 A низкий-потери in a TO-247 длинный выводы корпус
Артикул: C2970060
Part Number: STGWA50M65DF2
Производитель: ST
от 5.938000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 6.134600 ₽ |
| 10 шт. | 6.050100 ₽ |
| 30 шт. | 5.994900 ₽ |
| 90 шт. | 5.938000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 375W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V@50A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 150nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V@1mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 4.2nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 252pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 88pF |
| Время задержки включения Td(on) | 42ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 130ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 880uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.57mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 162ns |
Описание
375W 80A 650V FS (ограничение поля) TO-247 одиночные IGBT-транзисторы RoHS