YANGJIE MG35P12P3
Артикул: C2942702
Part Number: MG35P12P3
Производитель: YANGJIE
от 45.546400 ₽
В наличии: 1 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 46.956500 ₽ |
| 24 шт. | 45.546400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 210W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 35A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | 1mA |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.82V |
| Заряд затвора (Qg) | 270nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.5nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 87pF |
| Время задержки включения Td(on) | 20ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 141ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 4.45mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.95mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
210W 35A 1.2kV монтаж в отверстия одиночные IGBT-транзисторы