YANGJIE MG10P12P2
Артикул: C2942698
Part Number: MG10P12P2
Производитель: YANGJIE
от 20.740000 ₽
В наличии: 1 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 21.170500 ₽ |
| 10 шт. | 20.740000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 100W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 10A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.5V@10A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 130nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.2V@0.5mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 681pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 23pF |
| Время задержки включения Td(on) | 76ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 100ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.16mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 780uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
100W 10A 1.2kV P2 одиночные IGBT-транзисторы